半導(dǎo)體金屬薄膜現(xiàn)場(chǎng)快速評(píng)價(jià)費(fèi)米能級(jí)測(cè)量?jī)x

半導(dǎo)體金屬薄膜現(xiàn)場(chǎng)快速評(píng)價(jià)費(fèi)米能級(jí)測(cè)量?jī)x

1. 核心規(guī)格

• 測(cè)量方式：開爾文法（振動(dòng)電容法）
• 能量范圍：3.4–6.2 eV（以功函數(shù) 5 eV 的金標(biāo)樣校準(zhǔn)時(shí)）
• 重復(fù)再現(xiàn)性：≤ ±0.02 eV（標(biāo)準(zhǔn)偏差）
• 單次測(cè)量時(shí)間：≤ 10 s（金屬樣品典型值）
• 有效測(cè)試面積：φ10 mm
• 樣品形態(tài)：塊體、薄膜、粉末均可；大 30 mm × 30 mm，厚度無(wú)特殊限制
• 測(cè)量環(huán)境：大氣（10–35 °C，≤ 60 %RH），無(wú)需真空或惰性氣體保護(hù)

2. 系統(tǒng)構(gòu)成

• 主機(jī)：內(nèi)置振動(dòng)探針、鎖相放大器、能級(jí)掃描光源及控制電路
• 參考電極：鍍金不銹鋼探針，可單獨(dú)更換
• 軟件：實(shí)時(shí)顯示費(fèi)米能級(jí)（eV）及功函數(shù)變化曲線，可導(dǎo)出 CSV
• 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)：內(nèi)置 1 000 組測(cè)量值，支持 USB 閃存拷貝

3. 典型應(yīng)用

• 半導(dǎo)體晶圓、太陽(yáng)能電池、FET 器件的表面費(fèi)米能級(jí)分布測(cè)繪
• 金屬/氧化物催化劑在反應(yīng)前后的功函數(shù)變化追蹤
• 剛成膜后金屬表面隨時(shí)間氧化的原位監(jiān)測(cè)
• 材料界面接觸電位差（CPD）與腐蝕電位關(guān)聯(lián)研究

4. 安裝與維護(hù)

• 供電：AC 100 V 50/60 Hz，功率約 30 W
• 外形/重量：235 × 330 × 408 mm（W×H×D，顯微鏡臂收起時(shí)），約 12 kg
• 年度校準(zhǔn)：使用附帶金標(biāo)樣進(jìn)行兩點(diǎn)校準(zhǔn)（5.0 eV 與 4.2 eV），無(wú)需返廠
• 耗材：探針壽命 > 5 000 次，臟污可用無(wú)水乙醇棉簽輕擦